Samsung überholt die Konkurrenten TSMC und Intel bei der Einführung der Transistortechnik Gate All Around (GAA) – der entsprechende 3-nm-Prozess der nächsten Generation mit GAA-Transistoren läuft an.
Samsung nutzt ab sofort ein neues Produktionsverfahren, um Chips mit Strukturbreiten von nur noch drei Nanometern herzustellen. Der eigenen Angaben zufolge bisher fortschrittlichste Fertigungsprozess des Unternehmens steht auch schon für die Auftragsfertigung zur Verfügung.
Verbesserung durch Verkleinerung
Im Vergleich zum 5-Nanometer-Prozess soll beim 3-Nanometer-Prozess die Leistung um bis zu 23 Prozent steigen und der Energiebedarf dabei um bis zu 45 Prozent zurückgehen. Außerdem soll auch die benötigte Chipfläche um 16 Prozent schrumpfen.
Der 3-Nanometer-Prozess nutzt dabei eine sogenannte Gate-All-Around-Architektur (GAA), die Samsung selbst “Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET)” nennt und bei der das Gate den Kanal zwischen Source und Drain der Feldeffekt-Transistoren komplett ummantelt. Im Vergleich zur bisherigen FinFET-Transistor-Architektur soll sie mit einer niedrigeren Spannung auskommen und dabei auch noch höhere Stromstärken gestatten.
