Seit drei Jahren arbeitet Crossbar an seiner Version von Resistive RAM (RRAM), der vielversprechenden Speichertechnik, die Flash-Speicher wohl in Zukunft ersetzen wird.
Diese magnetoresistiven Speicher sind den aktuellen Flash-RAMs in Bezug auf Speicherdichte, Geschwindigkeit und Leistungsaufnahme enorm überlegen.
Crossbar kann bis zu 1 Terabyte Kapazität auf einem Chip mit 200 mm² bieten und durch Stapelung auf dieser Fläche sogar mehrere Terabyte unterbringen.
Die Schreibgeschwindigkeit ist mit 140 Megabyte pro Sekunde rund 20 mal höher als bei normalem NAND-Flash und erreicht fast die Geschwindigkeit von RAM-Speicher.
Dabei wird nur ein Zwanzigstel der Energie von Flash gebraucht, so dass in Geräten mit RRAMs die Akkus wesentlich länger halten oder deutlich kleiner sein können.
RRAM muss nicht wie Flash vor dem Beschreiben gelöscht werden und hält die Daten rund 20 Jahre lang!
